casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / EPC2007
Número da peça de fabricante | EPC2007 |
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Número da peça futura | FT-EPC2007 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | eGaN® |
EPC2007 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | GaNFET (Gallium Nitride) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 100V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 6A (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30 mOhm @ 6A, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1.2mA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 2.8nC @ 5V |
Vgs (máx.) | +6V, -5V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 205pF @ 50V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Die Outline (5-Solder Bar) |
Pacote / caso | Die |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EPC2007 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | EPC2007-FT |
FDMS3672
ON Semiconductor
FDMS5672
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FQPF7N65CYDTU
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XC3S5000-4FGG676I
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EP3SL200H780I4L
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10AX066K2F40E2LG
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