casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FQPF5N50CYDTU
Número da peça de fabricante | FQPF5N50CYDTU |
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Número da peça futura | FT-FQPF5N50CYDTU |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | QFET® |
FQPF5N50CYDTU Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 500V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 5A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4 Ohm @ 2.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±30V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 625pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 38W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220F-3 (Y-Forming) |
Pacote / caso | TO-220-3 Full Pack, Formed Leads |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQPF5N50CYDTU Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FQPF5N50CYDTU-FT |
FQI5N20LTU
ON Semiconductor
FQI5N20TU
ON Semiconductor
FQI5N30TU
ON Semiconductor
FQI5N40TU
ON Semiconductor
FQI5N50CTU
ON Semiconductor
FQI5N80TU
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FQI5P10TU
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FQI6N15TU
ON Semiconductor
FQI6N40CTU
ON Semiconductor
FQI6N50TU
ON Semiconductor
LCMXO2-1200ZE-2TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1400AN-4FGG484C
Xilinx Inc.
10M08DCF484C8G
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5SGXMB5R3F43C3N
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5SGXMA7H3F35I3
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LCMXO2280E-3B256C
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LCMXO2-4000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGTFC7H3F35I3G
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EP1C4F400C8
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EP20K200EBC356-1
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