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ON Semiconductor FQPF2N80YDTU

Name: FQPF2N80YDTU
Brand: ON Semiconductor
SKU: FQPF2N80YDTU
Price: 0.728648 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (536 reviews)

Número da peça MFG: FQPF2N80YDTU

Quantidade disponível: 41700 Peças

Preço de referência: USD 0.728648

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: ON Semiconductor

Descrição breve: QFET® MOSFET N-CH 800V TO-220-3

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: FQPF2N80YDTU.pdf

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FQPF2N80YDTU Especificações

Número da peça de fabricante	FQPF2N80YDTU
Número da peça futura	FT-FQPF2N80YDTU
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	QFET®
FQPF2N80YDTU Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	800V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	1.5A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.3 Ohm @ 750mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	15nC @ 10V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	550pF @ 25V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	35W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	TO-220F-3 (Y-Forming)
Pacote / caso	TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FQPF2N80YDTU Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	FQPF2N80YDTU-FT

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