casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FQPF8N80CYDTU
Número da peça de fabricante | FQPF8N80CYDTU |
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Número da peça futura | FT-FQPF8N80CYDTU |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | QFET® |
FQPF8N80CYDTU Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 800V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 8A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.55 Ohm @ 4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±30V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2050pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 59W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220F-3 (Y-Forming) |
Pacote / caso | TO-220-3 Full Pack, Formed Leads |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQPF8N80CYDTU Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FQPF8N80CYDTU-FT |
FQI5N15TU
ON Semiconductor
FQI5N20LTU
ON Semiconductor
FQI5N20TU
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FQI5N30TU
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FQI5N40TU
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