casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar / EMD6T2R
Número da peça de fabricante | EMD6T2R |
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Número da peça futura | FT-EMD6T2R |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
EMD6T2R Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | - |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | - |
Freqüência - Transição | 250MHz |
Potência - Max | 150mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | EMT6 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EMD6T2R Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | EMD6T2R-FT |
RN1902T5LFT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1905(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1905,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1906(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1906,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1907,LF
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RN1908(T5L,F,T)
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RN1909(T5L,F,T)
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RN1911(T5L,F,T)
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RN2901(T5L,F,T)
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XC7A35T-2FGG484C
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LIF-MD6000-6KMG80I
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EP20K600EFC672-3
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10M50DCF256I6G
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5SGSMD4K2F40I2L
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5SGXMA5N2F45I3N
Intel
XC2V8000-5FFG1152C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K100ARC240-1N
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EP2OK60EQI208-2X
Intel