casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar / RN1902T5LFT
Número da peça de fabricante | RN1902T5LFT |
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Número da peça futura | FT-RN1902T5LFT |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
RN1902T5LFT Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 10 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 10mA, 5V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 100nA (ICBO) |
Freqüência - Transição | 250MHz |
Potência - Max | 200mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | US6 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN1902T5LFT Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | RN1902T5LFT-FT |
RN4983FE,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4984FE,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4986FE,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4987FE,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4990FE,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1901FETE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1909FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2901FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2911FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1906FE(T5L,F,T)
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XC2S100E-6TQ144C
Xilinx Inc.
LFEC3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V6000-6FFG1517C
Xilinx Inc.
EP4SGX530HH35C3ES
Intel
XC5VLX30T-1FFG665C
Xilinx Inc.
XA6SLX45-2CSG324I
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-FG144I
Microsemi Corporation
5CGXFC4C7U19C8N
Intel
10AX115S3F45E2SG
Intel
EP1S40F780C5N
Intel