casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar / EMD59T2R
Número da peça de fabricante | EMD59T2R |
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Número da peça futura | FT-EMD59T2R |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
EMD59T2R Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 47 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 5mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
Freqüência - Transição | 250MHz |
Potência - Max | 150mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | EMT6 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EMD59T2R Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | EMD59T2R-FT |
RN1903,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1910,LF(CT
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RN1905(T5L,F,T)
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RN1905,LF
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RN1906(T5L,F,T)
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RN1906,LF
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RN1907,LF
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RN1908(T5L,F,T)
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AGLN015V2-QNG68I
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M1AGL1000V2-FGG484I
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A1020B-1PL44I
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XC7K410T-1FF900I
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AGL250V2-FGG144I
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10AX090N4F45I3SG
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