casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar / EMD53T2R
Número da peça de fabricante | EMD53T2R |
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Número da peça futura | FT-EMD53T2R |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
EMD53T2R Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 10 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 35 @ 5mA, 10V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 5mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
Freqüência - Transição | 250MHz |
Potência - Max | 150mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | EMT6 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EMD53T2R Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | EMD53T2R-FT |
RN1901,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1903,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1910,LF(CT
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RN4985,LF(CT
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RN1902T5LFT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1905(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1905,LF
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RN1906(T5L,F,T)
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RN1906,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1907,LF
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LCMXO1200C-3T144I
Lattice Semiconductor Corporation
AX125-FG256
Microsemi Corporation
5CGXFC9D6F27C7N
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5SGXEA7N2F40C1
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5SGXEA7H1F35I2N
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XC5VLX50T-1FF665C
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XC7K355T-1FF901I
Xilinx Inc.
LFE2M20SE-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA5M13C8N
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EP2A40F1020C8
Intel