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Número da peça de fabricante | ELL-4GG6R8N |
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Número da peça futura | FT-ELL-4GG6R8N |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | G |
ELL-4GG6R8N Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | - |
Indutância | 6.8µH |
Tolerância | ±30% |
Classificação atual | 930mA |
Atual - saturação | 1.05A |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 200 mOhm |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | - |
Frequência de Indutância - Teste | 100kHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | Nonstandard |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Tamanho / dimensão | 0.150" L x 0.150" W (3.80mm x 3.80mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.055" (1.40mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ELL-4GG6R8N Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | ELL-4GG6R8N-FT |
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XC2VP30-6FGG676C
Xilinx Inc.
AGL600V2-FG484I
Microsemi Corporation
APA1000-BGG456I
Microsemi Corporation
A3PN125-1VQ100I
Microsemi Corporation
XC6VLX365T-1FF1156I
Xilinx Inc.
LFE3-95E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F35I2LG
Intel
5AGXBA5D4F35I5N
Intel
EP2S180F1508C4N
Intel
EPF81188AQC240-4
Intel