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Número da peça de fabricante | ELL-6PG3R9N |
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Número da peça futura | FT-ELL-6PG3R9N |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | G |
ELL-6PG3R9N Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | - |
Indutância | 3.9µH |
Tolerância | ±30% |
Classificação atual | 1.9A |
Atual - saturação | 1.6A |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 51 mOhm |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | - |
Frequência de Indutância - Teste | 100kHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | Nonstandard |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Tamanho / dimensão | 0.236" L x 0.236" W (6.00mm x 6.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.079" (2.00mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ELL-6PG3R9N Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | ELL-6PG3R9N-FT |
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LCMXO1200C-4T100I
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XCV800-5FG676C
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M1A3P600-FG256I
Microsemi Corporation
A42MX16-2VQG100I
Microsemi Corporation
XC4020XL-1HT176I
Xilinx Inc.
EP2AGX45DF25C4N
Intel
XC7S50-2CSGA324I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FGG144M
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780I3N
Intel