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Número da peça de fabricante | ELL-6PG6R8N |
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Número da peça futura | FT-ELL-6PG6R8N |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | G |
ELL-6PG6R8N Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | - |
Indutância | 6.8µH |
Tolerância | ±30% |
Classificação atual | 1.6A |
Atual - saturação | 1.4A |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 70 mOhm |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | - |
Frequência de Indutância - Teste | 100kHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | Nonstandard |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Tamanho / dimensão | 0.236" L x 0.236" W (6.00mm x 6.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.079" (2.00mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ELL-6PG6R8N Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | ELL-6PG6R8N-FT |
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LCMXO2-2000ZE-3TG100I
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XCVU080-H1FFVC1517E
Xilinx Inc.
M2GL090T-1FCSG325I
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AGLN020V2-UCG81
Microsemi Corporation
A54SX32A-PQG208
Microsemi Corporation
EP1K100EFI484-2
Intel
5SGXEABK1H40C2N
Intel
LFE2M35E-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-5MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA4U19C8N
Intel