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Número da peça de fabricante | ELL-6PG470M |
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Número da peça futura | FT-ELL-6PG470M |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | G |
ELL-6PG470M Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | - |
Indutância | 47µH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 600mA |
Atual - saturação | 550mA |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 470 mOhm |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | - |
Frequência de Indutância - Teste | 100kHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | Nonstandard |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Tamanho / dimensão | 0.236" L x 0.236" W (6.00mm x 6.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.079" (2.00mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ELL-6PG470M Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | ELL-6PG470M-FT |
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XCS05-3VQ100C
Xilinx Inc.
XC7S75-2FGGA676C
Xilinx Inc.
AGLN250V2-ZCSG81I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQ208
Microsemi Corporation
EP20K400EFC672-1
Intel
XC7K410T-L2FFG676I
Xilinx Inc.
A54SX16A-TQ100
Microsemi Corporation
AT40K05AL-1AJC
Microchip Technology
EP1S40F780C8N
Intel
EPF10K100ABI356-3N
Intel