casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / CIH03Q6N2SNC
Número da peça de fabricante | CIH03Q6N2SNC |
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Número da peça futura | FT-CIH03Q6N2SNC |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | CIH03Q |
CIH03Q6N2SNC Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Multilayer |
Material - Núcleo | - |
Indutância | 6.2nH |
Tolerância | ±0.3nH |
Classificação atual | 210mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 470 mOhm Max |
Q @ Freq | 16 @ 500MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 5.1GHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 500MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 0201 (0603 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 0201 (0603 Metric) |
Tamanho / dimensão | 0.024" L x 0.012" W (0.60mm x 0.30mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.013" (0.33mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIH03Q6N2SNC Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | CIH03Q6N2SNC-FT |
CIL10NR56KNC
Samsung Electro-Mechanics
CIL10NR68KNC
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CIL10Y100KNC
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CIL10Y100MNC
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CIGW160808XMR47MLC
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CIG10F1R0MAC
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CIG10F1R0MNC
Samsung Electro-Mechanics
CIG10F1R5MNC
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CIG10F2R2MNC
Samsung Electro-Mechanics
XC3S1200E-4FT256C
Xilinx Inc.
XC7S100-2FGGA676C
Xilinx Inc.
A3P400-2FGG484
Microsemi Corporation
A42MX16-PQ208A
Microsemi Corporation
ICE65L04F-TVQ100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX110DF27I7
Intel
EP1K10FC256-1N
Intel
A42MX16-3PQ160
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FTN324I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA5M13C8N
Intel