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Número da peça de fabricante | CIG10F1R0MAC |
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Número da peça futura | FT-CIG10F1R0MAC |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | CIG10F |
CIG10F1R0MAC Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Multilayer |
Material - Núcleo | - |
Indutância | 1µH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 700mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 300 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 1MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 0603 (1608 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 0603 (1608 Metric) |
Tamanho / dimensão | 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.020" (0.50mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIG10F1R0MAC Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | CIG10F1R0MAC-FT |
CIGT201610UMR24MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201610UMR47MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201610UMR68MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT2016R6MH100MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT2016R6MH100SNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT252008LM2R2SNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT252010LM2R2SNE
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CIGW160808XMR47SLC
Samsung Electro-Mechanics
CIGW201610GH1R0MLE
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CIGW201610GH1R5MLE
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LFE2-6SE-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A50T-2CSG325I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
M1A3P400-2PQ208
Microsemi Corporation
EP3C5F256C6
Intel
M1AGL1000V5-CSG281
Microsemi Corporation
A42MX09-1PQG160
Microsemi Corporation
LFE2M50E-5F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
10M04DAU324I7G
Intel