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Número da peça de fabricante | CIG10F1R0MAC |
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Número da peça futura | FT-CIG10F1R0MAC |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | CIG10F |
CIG10F1R0MAC Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Multilayer |
Material - Núcleo | - |
Indutância | 1µH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 700mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 300 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 1MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 0603 (1608 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 0603 (1608 Metric) |
Tamanho / dimensão | 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.020" (0.50mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIG10F1R0MAC Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | CIG10F1R0MAC-FT |
CIGT201610UMR24MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201610UMR47MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201610UMR68MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT2016R6MH100MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT2016R6MH100SNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT252008LM2R2SNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT252010LM2R2SNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW160808XMR47SLC
Samsung Electro-Mechanics
CIGW201610GH1R0MLE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW201610GH1R5MLE
Samsung Electro-Mechanics
XC3S50AN-5TQG144C
Xilinx Inc.
XA3S200-4FTG256Q
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P250-1FGG256
Microsemi Corporation
A3PN125-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP20K300EBC672-2X
Intel
10AX016C3U19E2LG
Intel
APA075-FGG144A
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LP384-CM81TR
Lattice Semiconductor Corporation