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Número da peça de fabricante | CIG10F2R2MNC |
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Número da peça futura | FT-CIG10F2R2MNC |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | CIG10F |
CIG10F2R2MNC Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Multilayer |
Material - Núcleo | - |
Indutância | 2.2µH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 500mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 450 mOhm |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 1MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 0603 (1608 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 0603 (1608 Metric) |
Tamanho / dimensão | 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIG10F2R2MNC Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | CIG10F2R2MNC-FT |
CIGT2016R6MH100MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT2016R6MH100SNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT252008LM2R2SNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT252010LM2R2SNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW160808XMR47SLC
Samsung Electro-Mechanics
CIGW201610GH1R0MLE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW201610GH1R5MLE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW201610GH2R2MLE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW201610GHR68MLE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW201610GL1R0MLE
Samsung Electro-Mechanics
A54SX16A-2TQG144
Microsemi Corporation
XC3S1000-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA600-FGG484A
Microsemi Corporation
APA600-FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C3T100I7
Intel
A3PN250-1VQG100
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8
Intel
5SGXEA7H3F35C2N
Intel
5AGXMA5G4F31C4N
Intel