casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / CIH03Q2N6SNC
Número da peça de fabricante | CIH03Q2N6SNC |
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Número da peça futura | FT-CIH03Q2N6SNC |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | CIH03Q |
CIH03Q2N6SNC Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Multilayer |
Material - Núcleo | - |
Indutância | 2.6nH |
Tolerância | ±0.3nH |
Classificação atual | 310mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 220 mOhm Max |
Q @ Freq | 17 @ 500MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 9.3GHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 500MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 0201 (0603 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 0201 (0603 Metric) |
Tamanho / dimensão | 0.024" L x 0.012" W (0.60mm x 0.30mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.013" (0.33mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIH03Q2N6SNC Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | CIH03Q2N6SNC-FT |
CIG21W1R5MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201208EH2R2MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201210UH1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201210UH1R5MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201210UHR68MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT1608R6EH1R0MNC
Samsung Electro-Mechanics
CIG10WR27MNC
Samsung Electro-Mechanics
CIG10W1R0MNC
Samsung Electro-Mechanics
CIG10W2R2MNC
Samsung Electro-Mechanics
CIGT160808XMR24MNC
Samsung Electro-Mechanics
A1415A-PQ100C
Microsemi Corporation
XC7A25T-2CSG325I
Xilinx Inc.
LAXP2-8E-5QN208E
Lattice Semiconductor Corporation
10M25DAF484C7G
Intel
5SGXMA4K1F35C2LN
Intel
EP4SGX530HH35C3NES
Intel
XC2VP20-6FF1152C
Xilinx Inc.
XC7K410T-2FFG900I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-CSG281
Microsemi Corporation
EP4CE40F29I7N
Intel