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Número da peça de fabricante | CIG10W2R2MNC |
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Número da peça futura | FT-CIG10W2R2MNC |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | CIG10W |
CIG10W2R2MNC Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Multilayer |
Material - Núcleo | - |
Indutância | 2.2µH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 750mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 300 mOhm |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 1MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 0603 (1608 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Tamanho / dimensão | 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIG10W2R2MNC Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | CIG10W2R2MNC-FT |
CIGT201610LM1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201610LM2R2MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201610LMR47MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201610LMR68MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW201610GHR33MLE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW201610GHR47MLE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201610LMR24MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW201610GH4R7MLE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201608EHR47SNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201608EM1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel