casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / CIH03Q0N8SNC
Número da peça de fabricante | CIH03Q0N8SNC |
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Número da peça futura | FT-CIH03Q0N8SNC |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | CIH03Q |
CIH03Q0N8SNC Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Multilayer |
Material - Núcleo | - |
Indutância | 0.8nH |
Tolerância | ±0.3nH |
Classificação atual | 550mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 70 mOhm Max |
Q @ Freq | 24 @ 500MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 10GHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 500MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 0201 (0603 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 0201 (0603 Metric) |
Tamanho / dimensão | 0.024" L x 0.012" W (0.60mm x 0.30mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.013" (0.33mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIH03Q0N8SNC Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | CIH03Q0N8SNC-FT |
CIG21L3R3MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG21W1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG21W3R3MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201206EH1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201206UM1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201208EH1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201208EM1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201208EM1R0SNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201208EMR47MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201208UM1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
LCMXO640C-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280C-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCKU5P-L1FFVB676I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-FG484I
Microsemi Corporation
EP2S60F484C3N
Intel
LCMXO2-1200UHC-4FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA9F31C8N
Intel
5CGXBC7C7F23C8N
Intel
5CGXFC3B6U15C7N
Intel
EP20K200EQC240-1N
Intel