casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / CIGT201206UM1R0MNE
Número da peça de fabricante | CIGT201206UM1R0MNE |
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Número da peça futura | FT-CIGT201206UM1R0MNE |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | CIGT |
CIGT201206UM1R0MNE Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Thin Film |
Material - Núcleo | Metal Composite |
Indutância | 1µH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 1.5A |
Atual - saturação | 2.2A |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 184 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 1MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 0805 (2012 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 0805 (2012 Metric) |
Tamanho / dimensão | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.024" (0.60mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIGT201206UM1R0MNE Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | CIGT201206UM1R0MNE-FT |
CIGW252010GLR47MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW252010GM1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
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Samsung Electro-Mechanics
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Samsung Electro-Mechanics
CIGW252012GM1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
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CIGW252012GM2R2MNE
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CIGW252012GM6R8MNE
Samsung Electro-Mechanics
XC2V250-5FG256I
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LCMXO3LF-6900C-5BG324C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-ZVQG100I
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F43C2N
Intel
5SGXMB6R2F43I3LN
Intel
EP4SE530H40C3N
Intel
LCMXO256C-3MN100I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB7H4F35C5N
Intel
EP4CE55F29I7
Intel
EPF10K100EQC208-2X
Intel