casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / CIGT201208UM1R0MNE
Número da peça de fabricante | CIGT201208UM1R0MNE |
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Número da peça futura | FT-CIGT201208UM1R0MNE |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | CIGT |
CIGT201208UM1R0MNE Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Thin Film |
Material - Núcleo | Metal Composite |
Indutância | 1µH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | - |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | - |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 1MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 0805 (2012 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 0805 (2012 Metric) |
Tamanho / dimensão | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIGT201208UM1R0MNE Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | CIGT201208UM1R0MNE-FT |
CIGW252012GL4R7MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW252012GM1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW252012GM1R0SLE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW252012GM2R2MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW252012GM6R8MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22B2R2MLE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22BR47MAE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22E1R0MAE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22ER50SNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22L6R8MNE
Samsung Electro-Mechanics
LCMXO1200C-3FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX016C3U19I2LG
Intel
10AX048E4F29I3SG
Intel
5SGXEBBR2H43C2LN
Intel
XC2VP40-6FFG1148C
Xilinx Inc.
A40MX04-2PL84I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-6MG184I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA4U19A7N
Intel
10AX057K4F35I3LG
Intel
EP4SGX180DF29C2XN
Intel