casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / CIH03Q0N6SNC
Número da peça de fabricante | CIH03Q0N6SNC |
---|---|
Número da peça futura | FT-CIH03Q0N6SNC |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | CIH03Q |
CIH03Q0N6SNC Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Multilayer |
Material - Núcleo | - |
Indutância | 0.6nH |
Tolerância | ±0.3nH |
Classificação atual | 600mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 60 mOhm Max |
Q @ Freq | 24 @ 500MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 10GHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 500MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 0201 (0603 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 0201 (0603 Metric) |
Tamanho / dimensão | 0.024" L x 0.012" W (0.60mm x 0.30mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.013" (0.33mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIH03Q0N6SNC Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | CIH03Q0N6SNC-FT |
CIG21C4R7MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG21L1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG21L3R3MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG21W1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG21W3R3MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201206EH1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201206UM1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201208EH1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201208EM1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201208EM1R0SNE
Samsung Electro-Mechanics
LFECP6E-3T144I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-5TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA4K3F40C3N
Intel
5SGXMB5R1F40C2LN
Intel
5SGXMABN2F45I2LN
Intel
XC7K160T-2FB484I
Xilinx Inc.
XC6VLX365T-2FFG1759C
Xilinx Inc.
XC4VLX80-10FF1148C
Xilinx Inc.
EP20K1500EBC652-2
Intel
EP20K100EBC356-1X
Intel