casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / CIH03Q0N6SNC

| Número da peça de fabricante | CIH03Q0N6SNC |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-CIH03Q0N6SNC |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | CIH03Q |
| CIH03Q0N6SNC Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Active |
| Tipo | Multilayer |
| Material - Núcleo | - |
| Indutância | 0.6nH |
| Tolerância | ±0.3nH |
| Classificação atual | 600mA |
| Atual - saturação | - |
| Blindagem | Unshielded |
| Resistência DC (DCR) | 60 mOhm Max |
| Q @ Freq | 24 @ 500MHz |
| Freqüência - auto-ressonante | 10GHz |
| Classificações | - |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C |
| Frequência de Indutância - Teste | 500MHz |
| Características | - |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote / caso | 0201 (0603 Metric) |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 0201 (0603 Metric) |
| Tamanho / dimensão | 0.024" L x 0.012" W (0.60mm x 0.30mm) |
| Altura - Sentado (Max) | 0.013" (0.33mm) |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| CIH03Q0N6SNC Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | CIH03Q0N6SNC-FT |

CIG21C4R7MNE
Samsung Electro-Mechanics

CIG21L1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics

CIG21L3R3MNE
Samsung Electro-Mechanics

CIG21W1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics

CIG21W3R3MNE
Samsung Electro-Mechanics

CIGT201206EH1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics

CIGT201206UM1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics

CIGT201208EH1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics

CIGT201208EM1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics

CIGT201208EM1R0SNE
Samsung Electro-Mechanics

XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.

A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation

M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation

10AX032E3F29I2SG
Intel

EP4CGX22BF14C8N
Intel

EP4SE530H40I3N
Intel

5SGXEA4H2F35I2N
Intel

A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation

LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation

EP2SGX130GF40C4NES
Intel