casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / CIGW252012GM1R0MNE
Número da peça de fabricante | CIGW252012GM1R0MNE |
---|---|
Número da peça futura | FT-CIGW252012GM1R0MNE |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | CIGW |
CIGW252012GM1R0MNE Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Metal Composite |
Indutância | 1µH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | - |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | - |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 1MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 1008 (2520 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 1008 (2520 Metric) |
Tamanho / dimensão | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIGW252012GM1R0MNE Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | CIGW252012GM1R0MNE-FT |
CIH05T1N8SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T2N0CNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T2N0SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T2N2CNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T2N4CNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T2N4SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T2N7CNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T3N0CNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T3N3CNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T3N6CNC
Samsung Electro-Mechanics
XC6SLX100-N3FG676I
Xilinx Inc.
5SGXEA5N3F40I4N
Intel
XC5VLX85T-1FFG1136I
Xilinx Inc.
XC4VFX20-10FFG672I
Xilinx Inc.
LFE3-70EA-7FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-8LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB5H4F35I3N
Intel
EP4CE75F29I7N
Intel
EP20K100EQC208-1X
Intel
EPF10K30EQC208-2X
Intel