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Número da peça de fabricante | CIGW252012GM2R2MNE |
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Número da peça futura | FT-CIGW252012GM2R2MNE |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | CIGW |
CIGW252012GM2R2MNE Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Metal Composite |
Indutância | 2.2µH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | - |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | - |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 1MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 1008 (2520 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 1008 (2520 Metric) |
Tamanho / dimensão | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIGW252012GM2R2MNE Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | CIGW252012GM2R2MNE-FT |
CIH05T2N0SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T2N2CNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T2N4CNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T2N4SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T2N7CNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T3N0CNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T3N3CNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T3N6CNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T3N6SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T3N9CNC
Samsung Electro-Mechanics
LCMXO1200C-3FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX016C3U19I2LG
Intel
10AX048E4F29I3SG
Intel
5SGXEBBR2H43C2LN
Intel
XC2VP40-6FFG1148C
Xilinx Inc.
A40MX04-2PL84I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-6MG184I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA4U19A7N
Intel
10AX057K4F35I3LG
Intel
EP4SGX180DF29C2XN
Intel