casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / CIGW252010GM4R7MNE
Número da peça de fabricante | CIGW252010GM4R7MNE |
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Número da peça futura | FT-CIGW252010GM4R7MNE |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | CIGW |
CIGW252010GM4R7MNE Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Metal Composite |
Indutância | 4.7µH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | - |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | - |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 1MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 1008 (2520 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 1008 (2520 Metric) |
Tamanho / dimensão | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIGW252010GM4R7MNE Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | CIGW252010GM4R7MNE-FT |
CIH05T1N5CNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T1N8CNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T1N8SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T2N0CNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T2N0SNC
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CIH05T2N2CNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T2N4CNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T2N4SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T2N7CNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T3N0CNC
Samsung Electro-Mechanics
LCMXO1200C-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN250V5-VQG100I
Microsemi Corporation
EP4CGX150CF23C7N
Intel
EP3C16U256C8N
Intel
10AX048K4F35I3LG
Intel
5SGXEA3K2F35I3
Intel
XC6VLX240T-1FFG784C
Xilinx Inc.
XC2VP50-6FF1148C
Xilinx Inc.
EP2AGX65CU17C6N
Intel
EPF10K50VQC240-2
Intel