casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / AS4C512M8D3-12BCN
Número da peça de fabricante | AS4C512M8D3-12BCN |
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Número da peça futura | FT-AS4C512M8D3-12BCN |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
AS4C512M8D3-12BCN Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR3 |
Tamanho da memória | 4Gb (512M x 8) |
Freqüência do relógio | 800MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 15ns |
Tempo de acesso | 20ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 1.425V ~ 1.575V |
Temperatura de operação | 0°C ~ 95°C (TC) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 78-TFBGA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 78-FBGA (9x10.5) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C512M8D3-12BCN Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | AS4C512M8D3-12BCN-FT |
AS4C8M16MSA-6BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C16M16MSA-6BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C16M16MSA-6BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C32M16MSA-6BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C32M16MSA-6BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C8M16MSA-6BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C32M16MS-7BCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C1M16S-7TCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C1M16S-6TIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C1M16S-6TCN
Alliance Memory, Inc.
LCMXO2-1200ZE-1UWG25ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S25B672C6N
Intel
XC2V1000-4BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX50T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
AGL125V5-QNG132
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C4N
Intel
EPF10K30RC208-3N
Intel
5SGXMA3H1F35C1N
Intel