casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / AS4C16M16MSA-6BINTR
Número da peça de fabricante | AS4C16M16MSA-6BINTR |
---|---|
Número da peça futura | FT-AS4C16M16MSA-6BINTR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
AS4C16M16MSA-6BINTR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile SDRAM |
Tamanho da memória | 256Mb (16M x 16) |
Freqüência do relógio | 166MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
Tempo de acesso | 5.5ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 1.7V ~ 1.95V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 54-VFBGA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 54-FBGA (8x8) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C16M16MSA-6BINTR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | AS4C16M16MSA-6BINTR-FT |
AS7C316098A-10BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C34098B-10BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS6C4016A-55BIN
Alliance Memory, Inc.
AS6C4016A-55BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C31026C-10BIN
Alliance Memory, Inc.
AS7C31026C-10BINTR
Alliance Memory, Inc.
PZ28F032M29EWBA
Micron Technology Inc.
PZ28F032M29EWBB TR
Micron Technology Inc.
PZ28F032M29EWHA
Micron Technology Inc.
PZ28F032M29EWLA
Micron Technology Inc.
LCMXO2-1200ZE-1UWG25ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S25B672C6N
Intel
XC2V1000-4BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX50T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
AGL125V5-QNG132
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C4N
Intel
EPF10K30RC208-3N
Intel
5SGXMA3H1F35C1N
Intel