casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / AS4C32M16MSA-6BIN
Número da peça de fabricante | AS4C32M16MSA-6BIN |
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Número da peça futura | FT-AS4C32M16MSA-6BIN |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
AS4C32M16MSA-6BIN Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile SDRAM |
Tamanho da memória | 512Mb (32M x 16) |
Freqüência do relógio | 166MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
Tempo de acesso | 5.5ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 1.7V ~ 1.95V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 54-VFBGA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 54-FBGA (8x8) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C32M16MSA-6BIN Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | AS4C32M16MSA-6BIN-FT |
AS7C34098B-10BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS6C4016A-55BIN
Alliance Memory, Inc.
AS6C4016A-55BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C31026C-10BIN
Alliance Memory, Inc.
AS7C31026C-10BINTR
Alliance Memory, Inc.
PZ28F032M29EWBA
Micron Technology Inc.
PZ28F032M29EWBB TR
Micron Technology Inc.
PZ28F032M29EWHA
Micron Technology Inc.
PZ28F032M29EWLA
Micron Technology Inc.
PZ28F032M29EWTA
Micron Technology Inc.
EPF8820ATC144-3
Intel
M2GL025T-1FG484
Microsemi Corporation
5SGXEB6R2F43C2L
Intel
EP4SE360F35C4
Intel
XC5VLX50T-3FF1136C
Xilinx Inc.
XC7K355T-1FFG901C
Xilinx Inc.
A54SX16A-1TQ100I
Microsemi Corporation
A40MX04-PQ100M
Microsemi Corporation
EP3CLS100F780I7
Intel
EP1S25F1020I6N
Intel