casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / AS4C1M16S-6TIN
Número da peça de fabricante | AS4C1M16S-6TIN |
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Número da peça futura | FT-AS4C1M16S-6TIN |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
AS4C1M16S-6TIN Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | DRAM |
Tecnologia | SDRAM |
Tamanho da memória | 16Mb (1M x 16) |
Freqüência do relógio | 166MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 2ns |
Tempo de acesso | 5.4ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 3V ~ 3.6V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 50-TSOP II |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C1M16S-6TIN Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | AS4C1M16S-6TIN-FT |
PZ28F032M29EWBA
Micron Technology Inc.
PZ28F032M29EWBB TR
Micron Technology Inc.
PZ28F032M29EWHA
Micron Technology Inc.
PZ28F032M29EWLA
Micron Technology Inc.
PZ28F032M29EWTA
Micron Technology Inc.
PZ28F064M29EWBA
Micron Technology Inc.
PZ28F064M29EWBX
Micron Technology Inc.
PZ28F064M29EWHA
Micron Technology Inc.
PZ28F064M29EWHX
Micron Technology Inc.
PZ28F064M29EWLA
Micron Technology Inc.
EPF10K30ATI144-3N
Intel
A54SX32A-2FGG484I
Microsemi Corporation
LFE2-70E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16-1VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED6N3F45I4N
Intel
5SGSMD5H2F35I3L
Intel
A40MX04-FPL84
Microsemi Corporation
LFXP6C-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-35E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL150F780I3N
Intel