casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / W632GU6AB-12
Número da peça de fabricante | W632GU6AB-12 |
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Número da peça futura | FT-W632GU6AB-12 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
W632GU6AB-12 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR3 |
Tamanho da memória | 2Gb (128M x 16) |
Freqüência do relógio | 800MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
Tempo de acesso | 20ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 1.283V ~ 1.45V |
Temperatura de operação | 0°C ~ 95°C (TC) |
Tipo de montagem | - |
Pacote / caso | - |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
W632GU6AB-12 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | W632GU6AB-12-FT |
W25Q64CVSSJG
Winbond Electronics
W25Q64CVSSJG TR
Winbond Electronics
W25Q64CVSSJP
Winbond Electronics
W25Q64CVSSJP TR
Winbond Electronics
W25Q64CVZPJG
Winbond Electronics
W25Q64CVZPJG TR
Winbond Electronics
W25Q64CVZPJP
Winbond Electronics
W25Q64CVZPJP TR
Winbond Electronics
W25Q64FVSCA1
Winbond Electronics
W25Q64FVSCA2
Winbond Electronics
EP1K30TC144-1N
Intel
LFEC3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
APA300-PQ208
Microsemi Corporation
ICE65L04F-LCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C35U484C8N
Intel
A42MX24-2PL84I
Microsemi Corporation
M1AGL1000V2-FGG144
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-7FN672CTW
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX180HF35I4N
Intel