casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / W25Q64CVZPJP TR
Número da peça de fabricante | W25Q64CVZPJP TR |
---|---|
Número da peça futura | FT-W25Q64CVZPJP TR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | SpiFlash® |
W25Q64CVZPJP TR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Tamanho da memória | 64Mb (8M x 8) |
Freqüência do relógio | 80MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 50µs, 3ms |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | SPI - Quad I/O |
Tensão - fonte | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 105°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 8-WDFN Exposed Pad |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 8-WSON (6x5) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
W25Q64CVZPJP TR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | W25Q64CVZPJP TR-FT |
THGBMFG6C1LBAIL
Toshiba Memory America, Inc.
THGBMFG7C1LBAIL
Toshiba Memory America, Inc.
THGBMFG8C2LBAIL
Toshiba Memory America, Inc.
THGBMGG9U4LBAIR
Toshiba Memory America, Inc.
THGBMGT0U8LBAIG
Toshiba Memory America, Inc.
THGBMHG6C1LBAU6
Toshiba Memory America, Inc.
THGBMHG6C1LBAW6
Toshiba Memory America, Inc.
THGBMHG7C2LBAIL
Toshiba Memory America, Inc.
THGBMHG7C2LBAU7
Toshiba Memory America, Inc.
THGBMHG7C2LBAW7
Toshiba Memory America, Inc.
A54SX32A-TQG144
Microsemi Corporation
LCMXO1200C-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280C-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED8K3F40I4N
Intel
10CX150YF672E6G
Intel
5SGXEA9N3F45I4N
Intel
LFEC33E-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-5BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H3F34E2SG
Intel
EP3SE50F780C4
Intel