casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / W25Q64CVZPJP TR
Número da peça de fabricante | W25Q64CVZPJP TR |
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Número da peça futura | FT-W25Q64CVZPJP TR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | SpiFlash® |
W25Q64CVZPJP TR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Tamanho da memória | 64Mb (8M x 8) |
Freqüência do relógio | 80MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 50µs, 3ms |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | SPI - Quad I/O |
Tensão - fonte | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 105°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 8-WDFN Exposed Pad |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 8-WSON (6x5) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
W25Q64CVZPJP TR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | W25Q64CVZPJP TR-FT |
THGBMFG6C1LBAIL
Toshiba Memory America, Inc.
THGBMFG7C1LBAIL
Toshiba Memory America, Inc.
THGBMFG8C2LBAIL
Toshiba Memory America, Inc.
THGBMGG9U4LBAIR
Toshiba Memory America, Inc.
THGBMGT0U8LBAIG
Toshiba Memory America, Inc.
THGBMHG6C1LBAU6
Toshiba Memory America, Inc.
THGBMHG6C1LBAW6
Toshiba Memory America, Inc.
THGBMHG7C2LBAIL
Toshiba Memory America, Inc.
THGBMHG7C2LBAU7
Toshiba Memory America, Inc.
THGBMHG7C2LBAW7
Toshiba Memory America, Inc.
EPF10K30ATI144-3N
Intel
A54SX32A-2FGG484I
Microsemi Corporation
LFE2-70E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16-1VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED6N3F45I4N
Intel
5SGSMD5H2F35I3L
Intel
A40MX04-FPL84
Microsemi Corporation
LFXP6C-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-35E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL150F780I3N
Intel