casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / W25Q64CVSSJP TR
Número da peça de fabricante | W25Q64CVSSJP TR |
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Número da peça futura | FT-W25Q64CVSSJP TR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | SpiFlash® |
W25Q64CVSSJP TR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Tamanho da memória | 64Mb (8M x 8) |
Freqüência do relógio | 80MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 50µs, 3ms |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | SPI - Quad I/O |
Tensão - fonte | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 105°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 8-SOIC |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
W25Q64CVSSJP TR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | W25Q64CVSSJP TR-FT |
SX-3130-1658
Cypress Semiconductor Corp
TC58CYG1S3HRAIG
Toshiba Memory America, Inc.
TC58CYG2S0HRAIG
Toshiba Memory America, Inc.
TH58BYG3S0HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
THGBMFG6C1LBAIL
Toshiba Memory America, Inc.
THGBMFG7C1LBAIL
Toshiba Memory America, Inc.
THGBMFG8C2LBAIL
Toshiba Memory America, Inc.
THGBMGG9U4LBAIR
Toshiba Memory America, Inc.
THGBMGT0U8LBAIG
Toshiba Memory America, Inc.
THGBMHG6C1LBAU6
Toshiba Memory America, Inc.
LCMXO2-640ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F484C2
Intel
EP4CE115F23I8L
Intel
XC7VX415T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
LFXP3E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-640E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP20K100BC356-2N
Intel
EP4SGX360FF35C4
Intel