casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / FP50R12KS4CBOSA1
Número da peça de fabricante | FP50R12KS4CBOSA1 |
---|---|
Número da peça futura | FT-FP50R12KS4CBOSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
FP50R12KS4CBOSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | - |
Configuração | Single |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1200V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 70A |
Potência - Max | 360W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 3.7V @ 15V, 50A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 5mA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 3.3nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | Yes |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Module |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Module |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FP50R12KS4CBOSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FP50R12KS4CBOSA1-FT |
GHIS080A120S-A1
Global Power Technologies Group
GHIS080A120S-A2
Global Power Technologies Group
GHIS030A120S-A1
Global Power Technologies Group
GSID100A120S5C1
Global Power Technologies Group
GSID150A120S5C1
Global Power Technologies Group
GSID300A120S5C1
Global Power Technologies Group
GSID200A120S5C1
Global Power Technologies Group
GSID300A125S5C1
Global Power Technologies Group
GHIS080A060S1-E1
Global Power Technologies Group
GB100XCP12-227
GeneSiC Semiconductor
XC6SLX75T-N3FG676C
Xilinx Inc.
A3PE600-1PQ208I
Microsemi Corporation
EP2C20F256C7N
Intel
5SGXMA5K2F40C2N
Intel
10M04SCE144I7G
Intel
5SGXEABK3H40C2L
Intel
XC6SLX9-2CSG225C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-4M132I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-9FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-17EA-6LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation