casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / FP50R12KT4B16BOSA1
Número da peça de fabricante | FP50R12KT4B16BOSA1 |
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Número da peça futura | FT-FP50R12KT4B16BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
FP50R12KT4B16BOSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configuração | Three Phase Inverter |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1200V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100A |
Potência - Max | 280W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.25V @ 15V, 50A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 1mA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 2.8nF @ 25V |
Entrada | Three Phase Bridge Rectifier |
Termistor NTC | Yes |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Module |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Module |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FP50R12KT4B16BOSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FP50R12KT4B16BOSA1-FT |
GHIS080A120S-A2
Global Power Technologies Group
GHIS030A120S-A1
Global Power Technologies Group
GSID100A120S5C1
Global Power Technologies Group
GSID150A120S5C1
Global Power Technologies Group
GSID300A120S5C1
Global Power Technologies Group
GSID200A120S5C1
Global Power Technologies Group
GSID300A125S5C1
Global Power Technologies Group
GHIS080A060S1-E1
Global Power Technologies Group
GB100XCP12-227
GeneSiC Semiconductor
APTGT50H120T3G
Microsemi Corporation
XC4005E-3PQ100I
Xilinx Inc.
XC2V250-6FGG456C
Xilinx Inc.
AGLN250V2-ZCSG81
Microsemi Corporation
M1A3PE3000-PQG208I
Microsemi Corporation
10AX016C4U19E3LG
Intel
10M50DAF484I6G
Intel
EP4CE22F17C8
Intel
LCMXO640E-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX190EF29I5G
Intel
EP4SGX110FF35C4
Intel