casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays / US6M1TR
Número da peça de fabricante | US6M1TR |
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Número da peça futura | FT-US6M1TR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
US6M1TR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N and P-Channel |
Recurso FET | Logic Level Gate |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 30V, 20V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 1.4A, 1A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 240 mOhm @ 1.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 2nC @ 5V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 70pF @ 10V |
Potência - Max | 1W |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 6-SMD, Flat Leads |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TUMT6 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
US6M1TR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | US6M1TR-FT |
CSD87333Q3DT
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TPS1120DR
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CSD88537NDT
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A54SX16P-1TQ144
Microsemi Corporation
XC7A15T-3FTG256E
Xilinx Inc.
XC6SLX25-N3FTG256I
Xilinx Inc.
XC4044XL-3HQ304C
Xilinx Inc.
A3PE600-FG484I
Microsemi Corporation
A3PN250-VQG100I
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C8L
Intel
A42MX16-1PQG100M
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA5U19C6N
Intel