casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays / TPS1120DR

| Número da peça de fabricante | TPS1120DR |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-TPS1120DR |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | - |
| TPS1120DR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Active |
| Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
| Recurso FET | Logic Level Gate |
| Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 15V |
| Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 1.17A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180 mOhm @ 1.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 5.45nC @ 10V |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Potência - Max | 840mW |
| Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 8-SOIC |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| TPS1120DR Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | TPS1120DR-FT |

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