casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays / TPS1120DR
Número da peça de fabricante | TPS1120DR |
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Número da peça futura | FT-TPS1120DR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
TPS1120DR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
Recurso FET | Logic Level Gate |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 15V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 1.17A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180 mOhm @ 1.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 5.45nC @ 10V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Potência - Max | 840mW |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 8-SOIC |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TPS1120DR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | TPS1120DR-FT |
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