casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays / CSD87312Q3E
Número da peça de fabricante | CSD87312Q3E |
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Número da peça futura | FT-CSD87312Q3E |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | NexFET™ |
CSD87312Q3E Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Common Source |
Recurso FET | Logic Level Gate |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 30V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 27A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 33 mOhm @ 7A , 8V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.3V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 8.2nC @ 4.5V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1250pF @ 15V |
Potência - Max | 2.5W |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 8-PowerTDFN |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 8-VSON (3.3x3.3) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CSD87312Q3E Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | CSD87312Q3E-FT |
SI8902EDB-T2-E1
Vishay Siliconix
SI8901EDB-T2-E1
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TMC1420-LA
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LFE5U-45F-7BG381C
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EPF81500AQC240-4
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