casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes / ULN2003V12DR
Número da peça de fabricante | ULN2003V12DR |
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Número da peça futura | FT-ULN2003V12DR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
ULN2003V12DR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | 7 NPN Darlington |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 500mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 500µA, 350mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 50µA |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | - |
Potência - Max | - |
Freqüência - Transição | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 16-SOIC |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ULN2003V12DR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | ULN2003V12DR-FT |
ULQ2003D1013TRY
STMicroelectronics
MC1413BDR2G
ON Semiconductor
NCV1413BDR2G
ON Semiconductor
ULN2001D1013TR
STMicroelectronics
ULQ2003D1013TR
STMicroelectronics
ULQ2004D1013TR
STMicroelectronics
MMPQ3906 TR13
Central Semiconductor Corp
ULN2004AFWG,N,E
Toshiba Semiconductor and Storage
ULN2002D1013TR
STMicroelectronics
BA12004BF-E2
Rohm Semiconductor
LCMXO640C-3T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S100-6FG256C
Xilinx Inc.
XC2S200-5PQG208I
Xilinx Inc.
AGLE600V5-FG256
Microsemi Corporation
EP2S30F672C5
Intel
EP20K300EFI672-2N
Intel
5SGXEA7N2F45C3N
Intel
AGL600V2-FGG144T
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-FG144I
Microsemi Corporation
LFE2-6SE-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation