casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes / ULQ2003D1013TRY
Número da peça de fabricante | ULQ2003D1013TRY |
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Número da peça futura | FT-ULQ2003D1013TRY |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q100 |
ULQ2003D1013TRY Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | 7 NPN Darlington |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 500mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 500µA, 350mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | - |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 350mA, 2V |
Potência - Max | - |
Freqüência - Transição | - |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 16-SO |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ULQ2003D1013TRY Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | ULQ2003D1013TRY-FT |
HN1A01F-GR(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1B01F-GR(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1B01FDW1T1
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Rohm Semiconductor
IMX17T110
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A54SX72A-1CQ256B
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XC6VLX75T-1FFG784I
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A54SX32A-2BG329I
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LFE2M70E-7FN900C
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5SGSMD3H1F35C1N
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