casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes / NCV1413BDR2G
Número da peça de fabricante | NCV1413BDR2G |
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Número da peça futura | FT-NCV1413BDR2G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
NCV1413BDR2G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | 7 NPN Darlington |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 500mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 500µA, 350mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | - |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 350mA, 2V |
Potência - Max | - |
Freqüência - Transição | - |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 16-SOIC |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NCV1413BDR2G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NCV1413BDR2G-FT |
HN1B01FDW1T1
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