casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / TSM4NB65CH C5G
Número da peça de fabricante | TSM4NB65CH C5G |
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Número da peça futura | FT-TSM4NB65CH C5G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
TSM4NB65CH C5G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 650V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 4A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.37 Ohm @ 2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 13.46nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±30V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 549pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 70W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-251 (IPAK) |
Pacote / caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TSM4NB65CH C5G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | TSM4NB65CH C5G-FT |
TK16A60W,S4VX
Toshiba Semiconductor and Storage
TK20C60W,S1VQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK16C60W,S1VQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK14C65W,S1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TK14C65W5,S1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TK100L60W,VQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK3R1P04PL,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK4R4P06PL,RQ
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TK6R7P06PL,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TPCA8007-H(TE12L,Q
Toshiba Semiconductor and Storage
XA3S500E-4FTG256I
Xilinx Inc.
XA6SLX25T-3FGG484Q
Xilinx Inc.
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
APA300-BGG456M
Microsemi Corporation
A54SX16A-FGG256I
Microsemi Corporation
AT40K20-2AQC
Microchip Technology
EP2S30F672C4
Intel
10M40DCF672C7G
Intel
A42MX16-3PQ100
Microsemi Corporation
EP4CGX22CF19C6N
Intel