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Toshiba Semiconductor and Storage TK6R7P06PL,RQ

Name: TK6R7P06PL,RQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK6R7P06PL,RQ
Price: 0.37408 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (744 reviews)

Número da peça MFG: TK6R7P06PL,RQ

Quantidade disponível: 72490 Peças

Preço de referência: USD 0.37408

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Descrição breve: U-MOSIX-H MOSFET N-CHANNEL 60V 46A DPAK

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: TK6R7P06PL,RQ.pdf

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TK6R7P06PL,RQ Especificações

Número da peça de fabricante	TK6R7P06PL,RQ
Número da peça futura	FT-TK6R7P06PL,RQ
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	U-MOSIX-H
TK6R7P06PL,RQ Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	46A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.7 mOhm @ 23A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 300µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	26nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1990pF @ 30V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	66W (Tc)
Temperatura de operação	175°C
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	DPAK
Pacote / caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TK6R7P06PL,RQ Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	TK6R7P06PL,RQ-FT

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