casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / TK4R4P06PL,RQ
Número da peça de fabricante | TK4R4P06PL,RQ |
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Número da peça futura | FT-TK4R4P06PL,RQ |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | U-MOSIX-H |
TK4R4P06PL,RQ Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 60V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 58A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.4 mOhm @ 29A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 500µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 48.2nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3280pF @ 30V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 87W (Tc) |
Temperatura de operação | 175°C |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DPAK |
Pacote / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TK4R4P06PL,RQ Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | TK4R4P06PL,RQ-FT |
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