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Toshiba Semiconductor and Storage TK4R4P06PL,RQ

Name: TK4R4P06PL,RQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK4R4P06PL,RQ
Price: 0.51072 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (661 reviews)

Número da peça MFG: TK4R4P06PL,RQ

Quantidade disponível: 35620 Peças

Preço de referência: USD 0.51072

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Descrição breve: U-MOSIX-H MOSFET N-CHANNEL 60V 58A DPAK

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: TK4R4P06PL,RQ.pdf

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TK4R4P06PL,RQ Especificações

Número da peça de fabricante	TK4R4P06PL,RQ
Número da peça futura	FT-TK4R4P06PL,RQ
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	U-MOSIX-H
TK4R4P06PL,RQ Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	58A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.4 mOhm @ 29A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 500µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	48.2nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	3280pF @ 30V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	87W (Tc)
Temperatura de operação	175°C
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	DPAK
Pacote / caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TK4R4P06PL,RQ Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	TK4R4P06PL,RQ-FT

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