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TPH3212PS Image

Transphorm TPH3212PS

Número da peça MFG
TPH3212PS
Quantidade disponível
33970 Peças
Preço de referência
USD 11.16
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Data de envio
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fabricante
Transphorm
Descrição breve
- GANFET N-CH 650V 27A TO220
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
TPH3212PS.pdf
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TPH3212PS Especificações

Número da peça de fabricante TPH3212PS
Número da peça futura FT-TPH3212PS
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series -
TPH3212PS Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia GaNFET (Gallium Nitride)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 27A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 72 mOhm @ 17A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.6V @ 400uA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 8V
Vgs (máx.) ±18V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1130pF @ 400V
Recurso FET -
Dissipação de energia (máx.) 104W (Tc)
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor TO-220AB
Pacote / caso TO-220-3
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TPH3212PS Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição TPH3212PS-FT

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