casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRFBC30L
Número da peça de fabricante | IRFBC30L |
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Número da peça futura | FT-IRFBC30L |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
IRFBC30L Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 600V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 3.6A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.2 Ohm @ 2.2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 31nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 660pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 3.1W (Ta), 74W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | I2PAK |
Pacote / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFBC30L Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IRFBC30L-FT |
SIR668DP-T1-RE3
Vishay Siliconix
SIR680DP-T1-RE3
Vishay Siliconix
SIRA20DP-T1-RE3
Vishay Siliconix
SIRA60DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIRA84DP-T1-GE3
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SIRA88DP-T1-GE3
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SIRC16DP-T1-GE3
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SIR164DP-T1-RE3
Vishay Siliconix
SIR606DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR618DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
EX128-TQ100
Microsemi Corporation
XC3S50A-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1CQ256
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
A42MX16-VQG100M
Microsemi Corporation
EP1SGX10CF672C7N
Intel
10AX016C3U19I2LG
Intel
10CL025ZE144I8G
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5SGXEA7H3F35I4
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EP3SE50F780I3
Intel