casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRFBC30AL
Número da peça de fabricante | IRFBC30AL |
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Número da peça futura | FT-IRFBC30AL |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
IRFBC30AL Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 600V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 3.6A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.2 Ohm @ 2.2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±30V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 510pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 74W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | I2PAK |
Pacote / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFBC30AL Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IRFBC30AL-FT |
SIR626DP-T1-RE3
Vishay Siliconix
SIR668DP-T1-RE3
Vishay Siliconix
SIR680DP-T1-RE3
Vishay Siliconix
SIRA20DP-T1-RE3
Vishay Siliconix
SIRA60DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIRA84DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIRA88DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIRC16DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR164DP-T1-RE3
Vishay Siliconix
SIR606DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
XC2V250-5FG256I
Xilinx Inc.
M2GL050-FGG484I
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG484T
Microsemi Corporation
APA1000-PQ208M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-9400C-6BG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA5K3F35C2L
Intel
XC5VLX50-2FFG1153C
Xilinx Inc.
XC6VLX550T-2FFG1759C
Xilinx Inc.
XCKU035-L1SFVA784I
Xilinx Inc.
5SGXMA3H1F35C2LN
Intel