casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRFBC30AL
Número da peça de fabricante | IRFBC30AL |
---|---|
Número da peça futura | FT-IRFBC30AL |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
IRFBC30AL Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 600V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 3.6A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.2 Ohm @ 2.2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±30V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 510pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 74W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | I2PAK |
Pacote / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFBC30AL Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IRFBC30AL-FT |
SIR626DP-T1-RE3
Vishay Siliconix
SIR668DP-T1-RE3
Vishay Siliconix
SIR680DP-T1-RE3
Vishay Siliconix
SIRA20DP-T1-RE3
Vishay Siliconix
SIRA60DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIRA84DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIRA88DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIRC16DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR164DP-T1-RE3
Vishay Siliconix
SIR606DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
XC3S200A-4FT256I
Xilinx Inc.
XC3S2000-4FG456C
Xilinx Inc.
A42MX09-VQ100I
Microsemi Corporation
AGL030V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP2C50F672I8
Intel
XC6SLX4-2CSG225I
Xilinx Inc.
AGL600V2-CSG281
Microsemi Corporation
LFXP6C-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C4
Intel