casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / TPH3206LDB
Número da peça de fabricante | TPH3206LDB |
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Número da peça futura | FT-TPH3206LDB |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
TPH3206LDB Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | GaNFET (Gallium Nitride) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 650V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 16A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180 mOhm @ 10A, 8V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.6V @ 500µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 6.2nC @ 4.5V |
Vgs (máx.) | ±18V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 720pF @ 480V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 81W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PQFN (8x8) |
Pacote / caso | 4-PowerDFN |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TPH3206LDB Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | TPH3206LDB-FT |
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