casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRFSL31N20DTRR
Número da peça de fabricante | IRFSL31N20DTRR |
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Número da peça futura | FT-IRFSL31N20DTRR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
IRFSL31N20DTRR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 200V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 31A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 82 mOhm @ 18A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±30V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2370pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 3.1W (Ta), 200W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | I2PAK |
Pacote / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFSL31N20DTRR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IRFSL31N20DTRR-FT |
SIR632DP-T1-RE3
Vishay Siliconix
SIR690DP-T1-GE3
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XC2VP2-6FFG672C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-3MN100C
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