casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRFBF20L
Número da peça de fabricante | IRFBF20L |
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Número da peça futura | FT-IRFBF20L |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
IRFBF20L Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 900V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 1.7A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8 Ohm @ 1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 38nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 490pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 3.1W (Ta), 54W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | I2PAK |
Pacote / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFBF20L Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IRFBF20L-FT |
SIR164DP-T1-RE3
Vishay Siliconix
SIR606DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR618DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR622DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR624DP-T1-GE3
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SIR632DP-T1-RE3
Vishay Siliconix
SIR690DP-T1-GE3
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SIR696DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIRA54DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SQR70090ELR_GE3
Vishay Siliconix
LCMXO1200E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-2PQ100C
Microsemi Corporation
XC6SLX9-2FT256I
Xilinx Inc.
A3PN125-1VQ100
Microsemi Corporation
EP2A15F672C7AA
Intel
EP3CLS70U484I7
Intel
5SGSED6K2F40C3N
Intel
EP4CE10E22C9L
Intel
LFE3-70E-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EBC652-1X
Intel