casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / TP65H035WSQA
Número da peça de fabricante | TP65H035WSQA |
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Número da peça futura | FT-TP65H035WSQA |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
TP65H035WSQA Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | GaNFET (Gallium Nitride) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 650V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 47A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 41 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.8V @ 1mA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 36nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1500pF @ 400V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 187W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-247 |
Pacote / caso | TO-247-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TP65H035WSQA Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | TP65H035WSQA-FT |
IRF9630L
Vishay Siliconix
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LFEC1E-4Q208C
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