casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Tiristores - SCRs / TN1215-800B
Número da peça de fabricante | TN1215-800B |
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Número da peça futura | FT-TN1215-800B |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
TN1215-800B Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tensão - Estado Desligado | 800V |
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max) | 1.3V |
Gatilho de Gate atual (Igt) (Max) | 15mA |
Tensão - no estado (Vtm) (máximo) | 1.6V |
Corrente - Estado On (It (AV)) (Max) | 8A |
Corrente - Estado On (It (RMS)) (Max) | 12A |
Atual - Hold (Ih) (Max) | 40mA |
Estado atual - desligado (máx.) | 5µA |
Corrente - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) | 110A, 115A |
Tipo de SCR | Standard Recovery |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DPAK |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TN1215-800B Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | TN1215-800B-FT |
VS-ST1280C04K1
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST1280C06K0
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST1280C06K0L
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST1280C06K1
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST1230C16K0
Vishay Semiconductor Diodes Division
ST1000C12K0
Vishay Semiconductor Diodes Division
MCR100-3 A1G
Taiwan Semiconductor Corporation
MCR100-4 A1G
Taiwan Semiconductor Corporation
MCR100-5 A1G
Taiwan Semiconductor Corporation
MCR100-6 A1G
Taiwan Semiconductor Corporation
LCMXO2-256HC-4SG48I
Lattice Semiconductor Corporation
XCV600-4FG676I
Xilinx Inc.
M7A3P1000-FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000-FG256
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HC-5QN84C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMB6R2F43C2N
Intel
EP4SE820H40C3N
Intel
EP4SGX530KH40C2N
Intel
XC4VFX60-10FF1152C
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-7FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation